LiTFSI-DMU电导率与温度的关系

2021-05-26 20:51:42 ferryme 7

下图给出了LiTFSI-DMU体系的电导率与温度的关系.曲线a表示n(LiTFSI):n(DMU)=l∶2,室温电导率为9.71×10-6S/cm,50 C电导率为1.26×10-4S/cm;曲线b表示n(LiTFSI):n(DMU)=1:3,50 C电导率为3.5×10-4S/cm,而室温时为固体,电阻太大,目前其阻抗谱无法测定﹔曲线c表示n(LiTFSI):n(DMU)=1 ∶4.a的电导率与温度关系也符合VTF方程,其导电活化能E=3.52 kJ/mol,比 LiTFSI-NMU体系高.因而LiTFSI-DMU体系的电导率比LiTFSI-NMU体系在相同条件下的电导率低.LiTFSI 与尿素、NMU和DMU形成的低共熔化合物,电导率与温度的关系都符合VTF方程.但随着脲上取代基的增加,与锂离子形成的配位阳离子增大,离子迁移速率降低﹔同时体系的导电活化能增大,因而LiTFSI-DMU体系的电导率最低.

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